一種提升長期存儲半導體硅片產品良率的工藝處理方法

一、成果基本信息

二、成果簡介

    本成果屬于半導體集成電路和器件領域，具體是一種提升長期存儲半導體硅片產品良率的工藝處理方法。半導體硅片作為半導體器件的載體，在完成半導體工藝后需要進行存儲，由于存儲溫度、保護氣體、存儲時間、器件環境敏感性等不盡相同，半導體器件在存儲一段時間后，電參數會出現不同程度的變化，甚至造成器件電參數不合格、良率下降，嚴重時造成整個硅片報廢。

本成果創新性地提出了一種工藝處理方法，其特征在于：包括噴淋及浸泡、煮一號液、沖水、甩干、烘焙五個工藝步驟。

（1）所述工藝步驟噴淋及浸泡具體為使用帶噴淋功能的清洗槽噴淋所述半導體硅片，直至半導體硅片被噴淋液體完全淹沒，噴淋液體為去離子水；浸泡時間為5分鐘。

（2）所述工藝步驟煮一號液具體為使用氨水（NH4OH）、雙氧水（H2O2）、去離子水（H2O）的混合溶液清洗所述半導體硅片；一號液的配比為：NH4OH：H2O2：H2O=1：1：6；

（3）所述工藝步驟沖水具體為使用帶噴淋功能的清洗槽清洗所述半導體硅片10次；

（4）所述工藝步驟甩干具體為使用甩干機甩干所述半導體硅片；

（5）所述工藝步驟烘焙具體為使用120℃高溫烘箱烘培所述半導體硅片30分鐘；

本成果具有成本低、實現簡單的優點，可以有效解決半導體硅片因存儲、運輸過程產生的水汽、顆粒、應力等因素引起的良率降低問題，維持了合格半導體硅片的高良率，在半導體領域中具有廣闊的應用前景。

三、成果轉化預期：

通過知識產權轉讓，為企業提高集成電路芯片制造所需硅片的良率，保證集成電路芯片的質量可靠性提供技術支持，能為企業增加一定的經濟效益。

特別聲明

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