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一種三維功率VDMOS器件及其集成方法(預披露)
2024-12-02
項目名稱：一種三維功率VDMOS器件及其集成方法
項目編號：QYZS-XK-2024-00262
掛牌價格： --
掛牌時間：2024-12-02 至 2024-12-31
一種三維功率VDMOS器件及其集成方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱 | 一種三維功率VDMOS器件及其集成方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學 | |
成果所屬領域 | 先進制造與自動化 | |
成果關鍵詞 | 三維集成 ；功率器件 ； 集成方法 | |
成果所屬學科 | 集成電路技術 | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡介
本發明以解決現有技術的VDMOS器件采用平面集成工藝存在的器件面積隨著電流容量增大而增大，嚴重影響功率系統的集成度，同時信號延遲時間及互連線功耗比重也將越來越大等技術問題。本發明的技術方案是設計一種三維功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率單元和芯片層，所述芯片層有二個以上，每個芯片層上均勻分布有二個以上的功率單元，每個功率單元外圍設置有獨立的終端，每個功率單元外圍設置有層間導電互連的TSV通孔，各個芯片層堆疊在一起形成三維功率VDMOS器件。所述功率單元外圍設置有散熱的TSV通孔。每個芯片層之間有絕緣介質層，所述絕緣介質層為二氧化硅。各個芯片層間的空隙處有填充膠。所述的各個功率單元外圍都設置有獨立的終端，所述終端為場限環結構。TSV通孔上方設有凸點。所述三維功率VDMOS器件采用雙層金屬布線結構。
特別聲明
1.本公告僅對成果進行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內容僅供參考。
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項目聯系人 ：趙經理
聯 系 電 話：15085914974