一種基于硅直通孔的三維集成系統熱解析方法

一、成果基本信息

二、成果簡介

    本發明公開了一種基于硅直通孔的三維集成系統熱解析方法，它包括將三維集成系統分解成單個功率元胞，在該功率元胞中，考慮硅通孔橫向熱阻和縱向熱阻的影響，建立分段熱阻模型；根據基爾霍夫定律得出包含上下層芯片溫度的矩陣方程；根據傳熱學中熱阻表達方式，建立熱阻R1~R8的表達式；將熱阻R1~R8的表達式代入包含上下層芯片溫度的矩陣方程中求解關于溫度T的方程組，從而得到三維集成系統中各層芯片的溫升情況；解決了現有技術對維集成系統的熱解析采用一維熱阻模型，它只考慮三維集成系統的縱向傳熱而沒有考慮三維集成系統TSV的橫向熱阻問題，使得三維集成系統的熱可靠性差等問題。

三、成果轉化預期：

可為三維集成電路系統的設計和制造提供理論指導，幫助提高三維集成電路的質量和可靠性。

特別聲明

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項目聯系人 ：趙經理  

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