一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法

一、成果基本信息

二、成果簡介

    本發明公開了一種在原料氧化情況下制備單一相高錳硅薄膜的工藝方法：以含有MnO的Mn靶材作為原料，在Si襯底上通過磁控濺射的方法制備薄膜，構成“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構樣品，進而在真空條件下高溫退火。基于該工藝辦法，通過控制“Si襯底—Si薄膜—含有氧化物的Mn薄膜”三層結構中的Si薄膜中間層濺射時間，可以完全消除掉本來含量占比很大的MnO，獲得單一相的高錳硅薄膜材料。

三、成果轉化預期：

可顯著降低獲得高錳硅薄膜對原料、儲存及工藝條件的要求，使得高錳硅薄膜的制備更為簡單，產業化生產成本降低，生產效率得到提高。

特別聲明

1.本公告僅對成果進行推介，接受意向方咨詢與洽談，以上介紹中的內容僅供參考。

2.貴州陽光產權交易所通過自身網站及相關媒體發布的項目信息并不構成貴州陽光產權交易所對任何項目的任何交易建議。意向方應不依賴于已披露的上述信息并自行對項目的相關情況進行必要的盡職調查和充分了解。

項目聯系人 ：趙經理  

聯 系 電 話：15085914974